GN導(dǎo)電膠生產(chǎn)廠家

測試5G高頻系統(tǒng)半導(dǎo)體導(dǎo)電膠“iSC-5G”

存儲測試導(dǎo)電膠革恩，全球半導(dǎo)體測試解決方案企業(yè)ISC 表示，正式推出了用于測試5G高頻系統(tǒng)半導(dǎo)體導(dǎo)電膠“iSC-5G”“iSC-5G”是目前正在商用化的28GHz以上高頻5G系統(tǒng)半導(dǎo)體用測試座。5G高頻市場正受到進(jìn)入商用化階段。

革恩半導(dǎo)體業(yè)務(wù)領(lǐng)域

測試設(shè)備

0.1 基于英特爾平臺開發(fā)DDR及LPDDR顆粒及模組測試儀器，可并根據(jù)客戶需求進(jìn)行固件及軟件調(diào)試。

0.2 基于MTK平臺開發(fā)LPDDR、EMMC、UFS測試儀器，并可根據(jù)客戶需求進(jìn)行因件及軟件調(diào)試。 現(xiàn)有P60、P90、20M、21M平臺測試儀器已開發(fā)完成

0.3 高低溫測試設(shè)備及量產(chǎn)設(shè)備 #導(dǎo)電膠#可以廣泛應(yīng)用于邏輯芯片（AP, CPU, GPU, PMIC, RF, Sensor, Mixed signal）存儲芯片（DDR,LPDDR,NAND,MCP)等測試.GN導(dǎo)電膠生產(chǎn)廠家

關(guān)于半導(dǎo)體工藝這點(diǎn)你要知道（4）蝕刻工藝

干法（Dry）蝕刻方法與等離子體（Plasma）

蝕刻技術(shù)的銅版畫美術(shù)和半導(dǎo)體工藝存在方法上的差異；在美術(shù)中，利用鋒利的雕刻工具制造出線路，而在工程中，首先用光刻膠（Photo Resist）制造出保護(hù)膜。然后進(jìn)行蝕刻.

這樣的蝕刻工序根據(jù)引起反應(yīng)的物質(zhì)的狀態(tài)可以分為濕法和干法兩種。

干法與濕法相比有費(fèi)用高、方法難等缺點(diǎn)，但近為了提高產(chǎn)出率和超細(xì)電路蝕刻，干法被使用！

#導(dǎo)電膠# #半導(dǎo)體# #芯片測試導(dǎo)電膠#江門221BGA-0.5P導(dǎo)電膠英特爾平臺測試儀器 現(xiàn)有Skylake、Cannon Lake Y、ICE lake U、Tiger Lake U、Alder Lake S 平臺儀器已開發(fā)或開發(fā)中。

深圳市革恩半導(dǎo)體有限公司為專業(yè)從事存儲器件測試解決方案公司，已與韓國測試設(shè)備廠家共同開多個(gè)MTK和英特爾方案的存儲器件測試儀器。并積累豐富的經(jīng)驗(yàn)與技術(shù)。并代理韓國Okins公司產(chǎn)品。（如探針、導(dǎo)電膠、治具、燒入板等測試部件）

#Rubber Socket# #LPDDR測試 導(dǎo)電膠# #DDR測試 導(dǎo)電膠#

革恩半導(dǎo)體業(yè)務(wù)領(lǐng)域

測試設(shè)備 0.1 基于英特爾平臺開發(fā)DDR及LPDDR顆粒及模組測試儀器，可并根據(jù)客戶需求進(jìn)行固件及軟件調(diào)試。 0.2 基于MTK平臺開發(fā)LPDDR、EMMC、UFS測試儀器，并可根據(jù)客戶需求進(jìn)行因件及軟件調(diào)試。 現(xiàn)有P60、P90、20M、21M平臺測試儀器已開發(fā)完成 0.3 高低溫測試設(shè)備及量產(chǎn)設(shè)備 #導(dǎo)電膠# #DDR導(dǎo)電膠# #測試導(dǎo)電膠# #LPDDR顆粒測試# #254BGA#

「半導(dǎo)體專題講座」芯片測試（Test）

4. 電氣參數(shù)與過程參數(shù)的聯(lián)動

電氣參數(shù)中重要的參數(shù)是電流（其次依次為門檻電壓、切換時(shí)間）.例如，如果我們研究驅(qū)動電流與過程變量的關(guān)聯(lián)關(guān)系，技術(shù)升級（ex.12納米到7納米）意味著線寬細(xì)化（這意味著澆口的長度/寬度和通道的長度/寬度縮小），這意味著必須縮小通道截面積（相對于長度而言，截面積影響更大），即電子在源端和直通端之間的通道。當(dāng)過程變量縮小時(shí)，漏極電流（Id）就會減少，所以重新設(shè)置縮小漏極電流的Spec Limit以適應(yīng)線寬。在這種情況下，如果需要維持一定的電流值，而不能根據(jù)工藝變量調(diào)整電參數(shù)值或相反地減小值，則需要調(diào)整工藝變量的濃度變量，以提高源/進(jìn)端子形成時(shí)離子注入過程的陽離子度量。與電流一樣，電容值或電阻值與電壓相關(guān)，也會得到反饋的DC/AC測量值，以重新調(diào)整過程變量或重新設(shè)定規(guī)格的極限值。因此，電氣參數(shù)值與過程變量緊密相關(guān)。DDR3是應(yīng)用在計(jì)算機(jī)及電子產(chǎn)品領(lǐng)域的一種高帶寬并行數(shù)據(jù)總線。

存儲芯片測試儀P20MT6757DRAMP90MT6779G90MT6785……

革恩半導(dǎo)體有限公司有著多年同海外企業(yè)合作與交流共同業(yè)研發(fā)多個(gè)存儲芯片測試平臺，積累了豐富經(jīng)驗(yàn)，持續(xù)服務(wù)與海外多家存儲半導(dǎo)體生產(chǎn)廠家，研發(fā)存儲芯片方案。

現(xiàn)目前已開發(fā)的平臺有聯(lián)發(fā)科的P20MT6757/P90MT6779/G90MT6785/20MMT6873/21M+MT6877，如有其它需求我們也可以提供定制化服務(wù)。希望致力于國內(nèi)存儲半導(dǎo)體企業(yè)和電子產(chǎn)品生產(chǎn)企業(yè)提供及時(shí)，優(yōu)良，完善的測試平臺，能夠?yàn)槠髽I(yè)創(chuàng)造更多商業(yè)契機(jī)。Cannon Lake Y Memory Tester。長沙L/P測試導(dǎo)電膠

深圳市革恩半導(dǎo)體有限公司與韓企對接合作十多年，業(yè)務(wù)領(lǐng)域及相關(guān)合作共贏。GN導(dǎo)電膠生產(chǎn)廠家

關(guān)于半導(dǎo)體工藝這點(diǎn)你要知道（4）蝕刻工藝

大家好！這次是第4道工序！是蝕刻（Etching）工序，我們一起學(xué)習(xí)吧~

蝕刻（Etching）工序?.

還記得之前第3課光刻（PhotoLithography）工程中“照相~”的表達(dá)嗎？在這個(gè)蝕刻(Etching)過程中，我們將消除底圖中不必要的部分，即只保留電路圖案中必要的部分，而將不必要的部分削掉。更詳細(xì)地說，如果在光刻“PhotoLithography”工序中形成了光刻膠“PhotoResist”，那么在蝕刻工序中，就是使用液體或氣體（etchant）進(jìn)行腐蝕，消除多余部分的工作。（其中etchant是進(jìn)行腐蝕的物質(zhì)的統(tǒng)稱）這種蝕刻技術(shù)是制作銅版畫的美術(shù)中經(jīng)常使用的方法。19世紀(jì)畫家皮薩羅（CamillePissaro）和德加（EdgarDegas）也利用蝕刻制作了很多精致細(xì)致的線。GN導(dǎo)電膠生產(chǎn)廠家

深圳市革恩半導(dǎo)體有限公司成立于2019-12-06年，在此之前我們已在芯片導(dǎo)電膠測試墊片，DDR測試、LPDDR測，內(nèi)存測試儀器，內(nèi)存顆粒內(nèi)存條測試行業(yè)中有了多年的生產(chǎn)和服務(wù)經(jīng)驗(yàn)，深受經(jīng)銷商和客戶的好評。我們從一個(gè)名不見經(jīng)傳的小公司，慢慢的適應(yīng)了市場的需求，得到了越來越多的客戶認(rèn)可。公司現(xiàn)在主要提供芯片導(dǎo)電膠測試墊片，DDR測試、LPDDR測，內(nèi)存測試儀器，內(nèi)存顆粒內(nèi)存條測試等業(yè)務(wù)，從業(yè)人員均有芯片導(dǎo)電膠測試墊片，DDR測試、LPDDR測，內(nèi)存測試儀器，內(nèi)存顆粒內(nèi)存條測試行內(nèi)多年經(jīng)驗(yàn)。公司員工技術(shù)嫻熟、責(zé)任心強(qiáng)。公司秉承客戶是上帝的原則，急客戶所急，想客戶所想，熱情服務(wù)。GN嚴(yán)格按照行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行生產(chǎn)研發(fā)，產(chǎn)品在按照行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)測試完成后，通過質(zhì)檢部門檢測后推出。我們通過全新的管理模式和周到的服務(wù)，用心服務(wù)于客戶。深圳市革恩半導(dǎo)體有限公司依托多年來完善的服務(wù)經(jīng)驗(yàn)、良好的服務(wù)隊(duì)伍、完善的服務(wù)網(wǎng)絡(luò)和強(qiáng)大的合作伙伴，目前已經(jīng)得到電子元器件行業(yè)內(nèi)客戶認(rèn)可和支持，并贏得長期合作伙伴的信賴。

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